Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 |
| Zugriffszeit | 5.5 ns |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Schreibzykluszeit | 15ns |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43LD32800B-25BLI
DatenblattSpeicher & Storage
256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 8Mx32, 4
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Speichergröße | 256Mbit |
|---|---|
| Speicherformat | DRAM |
| Memory Interface | HSUL_12 |
| Taktfrequenz | 400 MHz |
| Versorgungsspannung | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V |
| Memory Organization | 8M x 32 |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 134-TFBGA |
| Hersteller-Gehäuse | 134-TFBGA (10x11.5) |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TC) |
|---|