ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 |
| Zugriffszeit | 5.5 ns |
| Basis-Teilenummer | IS43LD32128 |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Schreibzykluszeit | 15ns |
| Speichergröße | 4Gbit |
|---|---|
| Speicherformat | DRAM |
| Memory Interface | HSUL_12 |
| Taktfrequenz | 400 MHz |
| Versorgungsspannung | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V |
| Memory Organization | 128M x 32 |
| Gehäuse | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 168-VFBGA |
| Hersteller-Gehäuse | 168-VFBGA (12x12) |
| Betriebstemperatur | 0°C~85°C(TC) |
|---|