Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 |
| Zugriffszeit | 5.5 ns |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Schreibzykluszeit | 15ns |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43LD32128B-18BPLI
DatenblattSpeicher & Storage
IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Speichergröße | 4Gbit |
|---|---|
| Speicherformat | DRAM |
| Memory Interface | HSUL_12 |
| Taktfrequenz | 533 MHz |
| Versorgungsspannung | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V |
| Memory Organization | 128M x 32 |
Mechanisch
| Gehäuse | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 168-VFBGA |
Umwelt
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Qualification | AEC-Q100 |