IS43LD16640C-18BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LD16640C-18BLI

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA

Aktiv134-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Basis-TeilenummerIS43LD16640
HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit15ns

Elektrisch

Speichergröße1Gbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz533 MHz
Versorgungsspannung1.14V ~ 1.95V
Memory Organization64M x 16

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case134-TFBGA
Hersteller-Gehäuse134-TFBGA (10x11.5)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)