IS43DR82560C-3DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR82560C-3DBL

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA

Aktiv60-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - DDR2
Zugriffszeit450 ps
Basis-TeilenummerIS43DR82560
HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit15ns

Elektrisch

Speichergröße2Gbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz333 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.9V
Memory Organization256M x 8

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case60-TFBGA
Hersteller-Gehäuse60-TWBGA (8x10.5)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C ~ 85°C (TC)