IS42RM32160E-75BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42RM32160E-75BL

Datenblatt

Speicher & Storage

IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA

Aktiv90-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSDRAM - Mobile
Zugriffszeit6 ns
Basis-TeilenummerIS42RM32160
HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
MontageartSurface Mount
Product StatusActive

Elektrisch

Speichergröße512Mbit
SpeicherformatDRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz133 MHz
Versorgungsspannung2.3V ~ 3V
Memory Organization16M x 32

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case90-TFBGA
Hersteller-Gehäuse90-TFBGA (8x13)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)