IS25WP512M-JLLE-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25WP512M-JLLE-TR

Datenblatt

Speicher & Storage

512Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6X8MM

Aktiv8-WDFN Exposed PadSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NOR (SLC)
HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q100
Schreibzykluszeit50µs, 1ms

Elektrisch

Speichergröße512Mbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O, QPI, DTR
Taktfrequenz112 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.95V
Memory Organization64M x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-WSON (8x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TA)