IS25WP040E-JYLA3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25WP040E-JYLA3-TR

Datenblatt

Speicher & Storage

4MB QSPI, 8-PIN USON 2X3MM , ROH

Aktiv8-UFDFN Exposed PadSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NOR (SLC)
Zugriffszeit8 ns
HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q100
Schreibzykluszeit40µs, 1.2ms

Elektrisch

Speichergröße4Mbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O, QPI
Taktfrequenz104 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.95V
Memory Organization512K x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-UFDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-USON (2x3)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)