IS25LQ512B-JULE-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LQ512B-JULE-TR

Datenblatt

Speicher & Storage

IC FLASH 512KBIT SPI/QUAD 8USON

Aktiv8-UFDFN Exposed PadSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NOR
Basis-TeilenummerIS25LQ512
HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit800µs

Elektrisch

Speichergröße512Kbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O
Taktfrequenz104 MHz
Versorgungsspannung2.3V ~ 3.6V
Memory Organization64K x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-UFDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-USON (2x3)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TA)