IS25LP512MG-JLLE-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LP512MG-JLLE-TR

Datenblatt

Speicher & Storage

512Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6x8mm

Aktiv8-WDFN Exposed PadSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NOR (SLC)
Zugriffszeit5.5 ns
HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit70µs, 4ms

Elektrisch

Speichergröße512Mbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O, QPI, DTR
Taktfrequenz166 MHz
Versorgungsspannung2.3V ~ 3.6V
Memory Organization64M x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-WSON (8x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TA)