IS25LP512MG-JLLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LP512MG-JLLE

Datenblatt

Speicher & Storage

IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON

Aktiv8-WDFN Exposed PadSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NOR
Zugriffszeit5.5 ns
Basis-TeilenummerIS25LP512
HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit50µs, 1ms

Elektrisch

Speichergröße512Mbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O, QPI, DTR
Taktfrequenz166 MHz
Versorgungsspannung2.3V ~ 3.6V
Memory Organization64M x 8

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case8-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-WSON (8x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TA)