Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR |
| Zugriffszeit | 120 ns |
| Hersteller | Intersil |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Schreibzykluszeit | 170ns |

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR |
| Zugriffszeit | 120 ns |
| Hersteller | Intersil |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Schreibzykluszeit | 170ns |
| Speichergröße | 4Kbit |
|---|---|
| Speicherformat | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Versorgungsspannung | 4.5V ~ 5.5V |
| Memory Organization | 4K x 1 |
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 18-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Hersteller-Gehäuse | 18-CERDIP |
| Betriebstemperatur | -55°C~125°C(TA) |
|---|