Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Channel Type | 3-Phase |
|---|---|
| Driven Configuration | Half-Bridge |
| Gate Type | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Eingangstyp | Non-Inverting |
| Hersteller | International Rectifier |
| Montageart | Surface Mount |
| Number of Drivers | 6 |
| Product Status | Active |
| Rise / Fall Time (Typ) | 125ns, 50ns |
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 200mA, 350mA |
|---|---|
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 600 V |
| Logic Voltage - VIL, VIH | 0.8V, 2.5V |
| Versorgungsspannung | 10V ~ 20V |
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Hersteller-Gehäuse | 20-SOIC |
| Betriebstemperatur | -40°C~150°C(TJ) |
|---|