IRLR8729PBF

International Rectifier

IRLR8729PBF

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 58A DPAK

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.9mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1350 pF @ 15 V
HerstellerInternational Rectifier
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C58A (Tc)
Max. Verlustleistung55W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseD-PAK (TO-252AA)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)