IRLL024NPBF

International Rectifier

IRLL024NPBF

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223

AktivTO-261-4, TO-261AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 3.1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds510 pF @ 25 V
HerstellerInternational Rectifier
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.1A (Ta)
Max. Verlustleistung1W (Ta)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Hersteller-GehäuseSOT-223

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)