IRFS4410PBF

International Rectifier

IRFS4410PBF

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 88A TO263-3-2

AktivTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 58A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5150 pF @ 50 V
HerstellerInternational Rectifier
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 150µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C88A (Tc)
Max. Verlustleistung200W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäusePG-TO263-3-2

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)