IRFHS8342TR2PBF

International Rectifier

IRFHS8342TR2PBF

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON

Obsolet6-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 8.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 25 V
HerstellerInternational Rectifier
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.8A (Ta), 19A (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case6-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePG-TSDSON-6