IRFHM8330TRPBF

International Rectifier

IRFHM8330TRPBF

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 16A/55A 8PQFN

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.6mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1450 pF @ 25 V
HerstellerInternational Rectifier
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Ta), 55A (Tc)
Max. Verlustleistung2.7W (Ta), 33W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-Gehäuse8-PQFN (3.3x3.3)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)