IRFHM4234TRPBF

International Rectifier

IRFHM4234TRPBF

Analog & Leistungselektronik

HEXFET POWER MOSFET

Aktiv8-TQFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.4mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1011 pF @ 13 V
HerstellerInternational Rectifier
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieFASTIRFET™, HEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 25µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Ta)
Max. Verlustleistung2.8W (Ta), 28W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case8-TQFN Exposed Pad

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)