IRFH5255TRPBF

International Rectifier

IRFH5255TRPBF

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 25V 15A/51A PQFN

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds988 pF @ 13 V
HerstellerInternational Rectifier
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Ta), 51A (Tc)
Max. Verlustleistung3.6W (Ta), 26W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-Gehäuse8-PQFN (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)