IRFH5007TR2PBF

International Rectifier

IRFH5007TR2PBF

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 75V 17A/100A 8PQFN

Obsolet8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.9mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4290 pF @ 25 V
HerstellerInternational Rectifier
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 150µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung75 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Ta), 100A (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-PQFN (5x6)