IRFH4257DTRPBF

International Rectifier

IRFH4257DTRPBF

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4mOhm @ 25A, 10V
Basis-TeilenummerIRFH4257
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1321pF @ 13V
HerstellerInternational Rectifier
MontageartSurface Mount
VerpackungBulk
TeilestatusAktiv
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 35µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A
Power - Max25W, 28W

Mechanisch

Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäuseDual PQFN (5x4)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)