Allgemein
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| Hersteller | International Rectifier |
| Montageart | Through Hole |
| Verpackung | Bulk |
| Teilestatus | Aktiv |
| Serie | HEXFET® |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| Hersteller | International Rectifier |
| Montageart | Through Hole |
| Verpackung | Bulk |
| Teilestatus | Aktiv |
| Serie | HEXFET® |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung | 150 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) |
| Max. Verlustleistung | 20W |
| Package / Case | TO-205AF Metal Can |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | TO-205AF (TO-39) |