IRFAUIRF540Z

International Rectifier

IRFAUIRF540Z

Analog & Leistungselektronik

AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWE

AktivTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs26.5mOhm @ 22A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1770 pF @ 25 V
HerstellerInternational Rectifier
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101, HEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C36A (Tc)
Max. Verlustleistung92W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäusePG-TO220-3-904

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)