IRFAF52

International Rectifier

IRFAF52

Analog & Leistungselektronik

N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET

AktivTO-204AA, TO-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

FET TypeN-Channel
HerstellerInternational Rectifier
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung900 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.7A
Max. Verlustleistung150W

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-204AA, TO-3
Hersteller-GehäuseTO-204AA (TO-3)