IRF7601PBF

International Rectifier

IRF7601PBF

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8

Aktiv8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 3.8A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds650 pF @ 15 V
HerstellerInternational Rectifier
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 250µA (Min)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.7A (Ta)
Max. Verlustleistung1.8W (Ta)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Hersteller-GehäuseMicro8™

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)