IRF6216PBF-IR

International Rectifier

IRF6216PBF-IR

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 1.3A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1280 pF @ 25 V
HerstellerInternational Rectifier
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.2A (Ta)
Max. Verlustleistung2.5W (Ta)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SO

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)