IRF343

International Rectifier

IRF343

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 350V 8A TO3

AktivTO-204AA, TO-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs800mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1600 pF @ 25 V
HerstellerInternational Rectifier
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung350 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc)
Max. Verlustleistung125W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-204AA, TO-3
Hersteller-GehäuseTO-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)