Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Channel Type | 3-Phase |
|---|---|
| Driven Configuration | Half-Bridge |
| Gate Type | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Eingangstyp | Inverting |
| Hersteller | International Rectifier |
| Montageart | Through Hole |
| Number of Drivers | 6 |
| Product Status | Obsolete |
| Rise / Fall Time (Typ) | 90ns, 40ns |
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 250mA, 500mA |
|---|---|
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 600 V |
| Logic Voltage - VIL, VIH | 0.8V, 2.2V |
| Versorgungsspannung | 10V ~ 20V |
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 28-DIP (0.600", 15.24mm) |
| Hersteller-Gehäuse | 28-DIP |
| Betriebstemperatur | 125°C(TJ) |
|---|