P2114A5

Intel

P2114A5

Speicher & Storage

IC SRAM 4KBIT PARALLEL 18DIP

Aktiv18-DIPSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Asynchronous
Zugriffszeit250 ns
HerstellerIntel
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Schreibzykluszeit250ns

Elektrisch

Speichergröße4Kbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung4.5V ~ 5.5V
Memory Organization1K x 4

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case18-DIP
Hersteller-Gehäuse18-DIP

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~70°C(TA)