MD2147H3

Intel

MD2147H3

Speicher & Storage

IC SRAM 4KBIT PARALLEL 18CDIP

Aktiv18-CDIPSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Asynchronous
Zugriffszeit55 ns
HerstellerIntel
MontageartThrough Hole
VerpackungBulk
TeilestatusAktiv
Schreibzykluszeit55ns

Elektrisch

Speichergröße4Kbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung4.5V ~ 5.5V
Memory Organization4K x 1

Mechanisch

Package / Case18-CDIP
Hersteller-Gehäuse18-CDIP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C (TC)