LD2114AL4

Intel

LD2114AL4

Speicher & Storage

IC SRAM 4KBIT PARALLEL 18CDIP

Aktiv18-CDIPSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Asynchronous
Zugriffszeit200 ns
HerstellerIntel
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Schreibzykluszeit200ns

Elektrisch

Speichergröße4Kbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung4.5V ~ 5.5V
Memory Organization1K x 4

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case18-CDIP
Hersteller-Gehäuse18-CDIP

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~85°C(TA)