SPU18P06P

Infineon Technologies

SPU18P06P

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 60V 18.6A TO251-3

ObsoletTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 13.2A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds860 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieSIPMOS®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18.6A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Hersteller-GehäusePG-TO251-3