SGB02N120ATMA1

Infineon Technologies

SGB02N120ATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3

ObsoletTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerSGB02N
Gate Charge11 nC
IGBT TypeNPT
EingangstypStandard
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
Switching Energy220µJ
Td (on/off) @ 25°C23ns/260ns
Test Condition800V, 2A, 91Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic3.6V @ 15V, 2A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)6.2 A
Current - Collector Pulsed (Icm)9.6 A
Power - Max62 W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäusePG-TO263-3-2

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)