S80KS5123GABHV020

Infineon Technologies

S80KS5123GABHV020

Datenblatt

Speicher & Storage

IC PSRAM 512MBIT SPI/OCTL 24FBGA

Aktiv24-VBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologiePSRAM (Pseudo SRAM)
Zugriffszeit35 ns
Basis-TeilenummerS80KS5123
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieHYPERRAM™
Schreibzykluszeit35ns

Elektrisch

Speichergröße512Mbit
SpeicherformatPSRAM
Memory InterfaceSPI - Octal I/O
Taktfrequenz200 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 2V
Memory Organization64M x 8

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case24-VBGA
Hersteller-Gehäuse24-FBGA (6x8)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~105°C(TA)