S80KS5122GABHA020

Infineon Technologies

S80KS5122GABHA020

Datenblatt

Speicher & Storage

IC PSRAM 512MBIT HYPERBUS 24FBGA

Aktiv24-VBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologiePSRAM (Pseudo SRAM)
Zugriffszeit35 ns
Basis-TeilenummerS80KS5122
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieHYPERRAM™
Schreibzykluszeit35ns

Elektrisch

Speichergröße512Mbit
SpeicherformatPSRAM
Memory InterfaceHyperBus
Taktfrequenz200 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 2V
Memory Organization64M x 8

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case24-VBGA
Hersteller-Gehäuse24-FBGA (6x8)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~85°C(TA)