S80KS2564GACHI040

Infineon Technologies

S80KS2564GACHI040

Datenblatt

Speicher & Storage

IC PSRAM 256MBIT HYPERBUS 49FBGA

Aktiv49-VBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologiePSRAM (Pseudo SRAM)
Zugriffszeit35 ns
Basis-TeilenummerS80KS2564
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieHYPERRAM™
Schreibzykluszeit35ns

Elektrisch

Speichergröße256Mbit
SpeicherformatPSRAM
Memory InterfaceHyperBus
Taktfrequenz200 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 2V
Memory Organization16M x 16

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case49-VBGA
Hersteller-Gehäuse49-FBGA (8x8)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~85°C(TA)