ISZ113N10NM5LFATMA1

Infineon Technologies

ISZ113N10NM5LFATMA1

Analog & Leistungselektronik

OPTIMOSTM5LINEARFET100V

Obsolet8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.3mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2300 pF @ 50 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusObsolet
SerieOptiMOS™ 5
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 36µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta), 63A (Tc)
Max. Verlustleistung2.5W (Ta), 100W (Tc)

Mechanisch

Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePG-TSDSON-8 FL

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)