IST026N10NM5AUMA1

Infineon Technologies

IST026N10NM5AUMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRENCH >=100V PG-HSOF-5

Aktiv5-PowerSFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.6mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6300 pF @ 50 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™5
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 148µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C27A (Ta), 248A (Tc)
Max. Verlustleistung3.8W (Ta), 313W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case5-PowerSFN
Hersteller-GehäusePG-HSOF-5-1

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)