IST015N06NM5AUMA1

Infineon Technologies

IST015N06NM5AUMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

OPTIMOS 5 POWER MOSFET 60 V

Aktiv5-PowerSFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5200 pF @ 30 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™5
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.3V @ 95µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C36A (Ta), 242A (Tc)
Max. Verlustleistung3.8W (Ta), 167W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case5-PowerSFN
Hersteller-GehäusePG-HSOF-5-1

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)