IST007N04NM6AUMA1

Infineon Technologies

IST007N04NM6AUMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 54A/440A HSOF-5

Aktiv5-PowerSFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.7mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7900 pF @ 20 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™ 6
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C54A (Ta), 440A (Tc)
Max. Verlustleistung3.8W (Ta), 250W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case5-PowerSFN
Hersteller-GehäusePG-HSOF-5-1

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)