ISC110N12NM6ATMA1

Infineon Technologies

ISC110N12NM6ATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRENCH >=100V

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 26A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400 pF @ 60 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™ 6
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 35µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung120 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta), 62A (Tc)
Max. Verlustleistung3W (Ta), 94W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)