ISC0703NLSATMA1

Name: ISC0703NLSATMA1
Brand: Infineon Technologies

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.9mOhm @ 32A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1400 pF @ 30 V
Hersteller	Infineon Technologies
Montageart	Surface Mount
Verpackung	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Teilestatus	Aktiv
Serie	OptiMOS™ 5
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 15µA

Drain-Source-Spannung	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	13A (Ta), 57A (Tc)
Max. Verlustleistung	3W (Ta), 44W (Tc)

Package / Case	8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse	PG-TDSON-8

Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)