IRS2008MPBFAUMA1

Infineon Technologies

IRS2008MPBFAUMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

LEVEL SHIFT JUNCTION ISO

Aktiv14-VFQFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerIRS2008
Channel TypeSynchronous
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeIGBT, N-Channel MOSFET
EingangstypCMOS
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Number of Drivers1
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)70ns, 30ns

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)290mA, 600mA
High Side Voltage - Max (Bootstrap)200 V
Logic Voltage - VIL, VIH0.8V, 2.5V
Versorgungsspannung10V ~ 20V

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case14-VFQFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse14-MLPQ (4x4)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)