IRS2005MTRPBF

Infineon Technologies

IRS2005MTRPBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14MLPQ

Aktiv14-VFQFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerIRS2005
Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeIGBT, N-Channel MOSFET
EingangstypNon-Inverting
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)70ns, 30ns

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)290mA, 600mA
High Side Voltage - Max (Bootstrap)200 V
Logic Voltage - VIL, VIH0.8V, 2.5V
Versorgungsspannung10V ~ 20V

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case14-VFQFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse14-MLPQ (4x4)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)