IRLR3410CPBF

Infineon Technologies

IRLR3410CPBF

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 17A DPAK

ObsoletTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs105mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds800 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseD-Pak