IRLMS2002

Infineon Technologies

IRLMS2002

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6

ObsoletSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Basis-TeilenummerIRLMS200
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1310 pF @ 15 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A (Ta)
Max. Verlustleistung2W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseSOT-23-6
Hersteller-GehäuseMicro6™(SOT23-6)