IRLHS6376TR2PBF

Infineon Technologies

IRLHS6376TR2PBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN

Obsolet6-VDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Basis-TeilenummerIRLHS6376
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds270pF @ 25V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 10µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.6A
Power - Max1.5W

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / Case6-VDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-PQFN (2x2)