IRLHS6276TR2PBF

Infineon Technologies

IRLHS6276TR2PBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN

Obsolet6-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 3.4A, 4.5V
Basis-TeilenummerIRLHS6276
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds310pF @ 10V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 10µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A
Power - Max1.5W

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / Case6-PowerVDFN
Hersteller-Gehäuse6-PQFN Dual (2x2)