IRLHM620TR2PBF

Infineon Technologies

IRLHM620TR2PBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 26A PQFN

Obsolet8-VQFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5mOhm @ 20A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3620 pF @ 10 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 50µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C26A (Ta), 40A (Tc)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / Case8-VQFN Exposed Pad
Hersteller-GehäusePQFN (3x3)